①大尺度法。经过增大单体LED的有用发光面积和尺度，促进流经TCL层的电流均匀分布，http://www.sinled.com 以到达预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法处理散热疑问和出光疑问，并不能到达预期的光通量和实践使用作用。
②矽底板倒装法。首要制备出适合共晶焊接的大尺度LED芯片，同时制备出相应尺度的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与矽底板焊接在一起。这样的布局较为合理，既思考了出光疑问又思考到了散热疑问，这是当前干流的大功率LED的生产方式。
美国Lumileds公司于2001年研发出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）布局，其制作流程是：首要在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆触摸和背反射；再选用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，显露N型层；经淀积、刻蚀构成N型欧姆触摸层，芯片尺度为1mm×1mm，P型欧姆触摸为正方形，N型欧姆触摸以梳状刺进其间，这样可缩短电流拓展间隔，把拓展电阻降至最小；然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（ESD）的矽载体上。
③陶瓷底板倒装法。先使用LED芯片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极布局的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的布局既思考了出光疑问也思考到了散热疑问，而且选用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热作用十分理想，报价又相对较低，所认为当前较为适宜的底板资料，并可为将来的积体电路一体化封装预留空间。
④蓝宝石衬底过渡法。依照传统的InGaN芯片制作办法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再衔接上传统的四元资料，制作出上下电极布局的大尺度蓝光LED芯片。
⑤AlGaInN碳化矽（SiC）反面出光法。美国Cree公司是全球仅有选用SiC衬底制作AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片布局不断改进，亮度不断提高。因为P型和N型电极别离坐落芯片的底部和顶部，选用单引线键合，相容性较好，使用方便，因此变成AlGaInNLED开展的另一干流产品。斯诺光电：http://www.sinled.com