在进步芯片得片率的一起，大尺度衬底还能进步单机芯片产出。因为MOCVD设备报价非常贵重，所以进步单机芯片产值也是下降LED芯片本钱的首要路径之一。选用大尺度衬底能够大幅进步每个次序的芯片产值，选用6英寸衬底每个次序的芯片产值比2英寸衬底进步55%。
在此基础上，我们选用改良KY法技能，突破了传统的C向长晶法，http://www.sinled.com 不光将商品做到了大公斤等级，并且晶体质量到达A向长晶同等乃至更优水平。经过对90kg晶体系统的测验及客户的反应发现，晶体的功能一致性及稳定性好，开炉合格率高达85%以上，位错密度区别很小。
A向长晶，C向掏棒，衬底每个点上的成长时间跨度大，张力和应力相差也较大;C向长晶，C向掏棒，衬底上张力和应力都较小。实验标明，改良KY法 90kg晶体制造的衬底磊晶过程中弯曲度和翘曲度表现优于A向长晶。一起，晶棒最长可超越300mm，关于多线切割机来说正巧匹配，无需进行多根晶棒粘结，大大进步切片功率及一致性，节省了本钱。
当前，C向长晶最大已经能制造12英寸C向衬底及部件，能够大幅提高LED外延芯片的出产功率和本钱竞争力。 斯诺光电：http://www.sinled.com